传统的用于半导体自旋弛豫研究的光谱技术，比如Hanle效应、时间分辨光致荧光谱以及时间分辨Faraday/Kerr旋转谱等，在进行测量之前都需要利用一束圆偏振光对样品进行自旋极化。泵浦光会对测量带来影响，比如泵浦光对系统的热化以及光生空穴对电子自旋弛豫的影响等。自旋噪声谱技术可以有效的减小泵浦光的影响，它是利用一束线偏振光，在无自旋注入的情况下，通过测量系统中粒子的自旋涨落，来获得材料的自旋相关信息。目前，这一探测技术已广泛应用于低维半导体材料中^[1]。

我们自主搭建了自旋噪声谱测量系统，利用碱金属铷原子气体对该系统进行了验证^[2]。然后，我们通过调节铷原子气室中缓冲气体的浓度，来实现均匀展宽与非均匀展宽系统，并研究了两种展宽系统中自旋噪声谱的差异，为两种展宽系统中的自旋噪声谱研究提供了一个很好的例证^[3]。最后，我们将该技术应用于半导体材料中，利用自旋噪声谱研究了n-GaAs中杂质中心附近局域电子的自旋弛豫^[4]

参考文献：

[1] Sinitsyn N A, Pershin Y V. Reports on Progress in Physics, 79(10): 106501(2016).

[2] Jian Ma, Ping Shi, Xuan Qian, Wei Li and Yang Ji. Chin.Phys. B 25, 117203(2016).

[3] Jian Ma, Ping Shi, Xuan Qian, Yaxuan Shang and Yang Ji. Scientific Reports 7(1): 10238 (2017).

[4] Jian Ma, Ping Shi, Xuan Qian, Yaxuan Shang and Yang Ji. Chin. Phys. Lett. 34(7): 077202.

姬扬，博士，研究员，博士生导师，中国科学院百人计划获得者，杰出青年基金获得者。1992年、1995年于中国科学技术大学获得学士和硕士学位。1998年于中国科学院半导体研究所获得博士学位。1998-2002年在以色列魏兹曼研究所从事博士后研究工作。2002年起，在中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室工作，从事半导体自旋物理学方面的实验研究。